鉻酸鑭（LaCrO3)是在1960年代隨著磁流體動力學（MHD)發(fā)電機的電極需要而發(fā)展起來的。因為在MHD發(fā)電機中，熱的電導氣體穿過有磁場的管道。在適當角度，由氣流在磁場中的電動勢，可在管道兩側安裝的電極間產(chǎn)生電壓。氣體溫度必須接近2000℃,用鉀使氣體活化引起導電。因此，電極材料必須具有電子導電性并能在高溫下抗鉀腐蝕。同時考慮到降溫過程，材料必須在1500℃高溫承受10000h。LaCrO3熔點為2500℃,具有高的電導率（1400℃時約100S/m),同時又能抗腐蝕，因而是比較理想的材料。但目前LaCrO3在MHD系統(tǒng)已不多使用，而多用于特種加熱元件。
鉻酸鑭為立方晶型，屬鈣鈦礦型結構，是典型的離子晶體。由于部分La3+或Cr2+可以被Ca2+、Mg2+、Sr2+等置換，可形成固溶體，使電導率大幅度提高。
在氧化氣氛下，Ca2+置換部分La3+造成正電荷不足，生成部分Cr4+。
由于Cr3+變成Cr4+，從而形成電子型導電。氧化氣氛下，在高溫揮發(fā)前后，材料電性能和結構基本上沒有什么變化。相反，經(jīng)氧化后其導電性略有增大。
鉻酸鑭導電陶瓷的制造工藝與其他新型陶瓷相似。它對原料的純度、細度、顆粒形狀及級配等有較高的要求。
鉻酸鑭陶瓷的配方可按La(MexCr1-x)O3進行配制，其中Me可為Mg、Al、Ca、Sr、Fe等。
LaCrO3的最大缺點是Cr2O3易揮發(fā)，在1000℃以上揮發(fā)更嚴重。因此，在配方中，往往添加＋2價堿土金屬離子（如Mg2+、Ca3+、Sr2+等），置換部分的La3+,得到具有半導體的La1-x(Ca,Sr)CrO3(x=0~0.12),與純的LaCrO3相比，其性能有較大的提高。
La2O3和Cr2O3的純度應為化學純，按摩爾比配合，先在900℃空氣中煅燒2h,排除吸附水，并使部分水化產(chǎn)物分解。Ca是以CaCO3形式加入，然后按摩爾比（x=0~0.12)進行配制。粉料最好在塑料球磨筒中用塑料球濕混48h,烘干后加入粘合劑，然后壓制成型。
鉻酸鑭陶瓷的燒結是在氧化氣氛中進行的，燒結溫度為2000℃左右。
鉻酸鑭（LaCrO3)是在1960年代隨著磁流體動力學（MHD)發(fā)電機的電極需要而發(fā)展起來的。因為在MHD發(fā)電機中，熱的電導氣體穿過有磁場的管道。在適當角度，由氣流在磁場中的電動勢，可在管道兩側安裝的電極間產(chǎn)生電壓。氣體溫度必須接近2000℃,用鉀使氣體活化引起導電。因此，電極材料必須具有電子導電性并能在高溫下抗鉀腐蝕。同時考慮到降溫過程，材料必須在1500℃高溫承受10000h。LaCrO3熔點為2500℃,具有高的電導率（1400℃時約100S/m),同時又能抗腐蝕，因而是比較理想的材料。但目前LaCrO3在MHD系統(tǒng)已不多使用，而多用于特種加熱元件。
鉻酸鑭為立方晶型，屬鈣鈦礦型結構，是典型的離子晶體。由于部分La3+或Cr2+可以被Ca2+、Mg2+、Sr2+等置換，可形成固溶體，使電導率大幅度提高。
在氧化氣氛下，Ca2+置換部分La3+造成正電荷不足，生成部分Cr4+。
由于Cr3+變成Cr4+，從而形成電子型導電。氧化氣氛下，在高溫揮發(fā)前后，材料電性能和結構基本上沒有什么變化。相反，經(jīng)氧化后其導電性略有增大。
鉻酸鑭導電陶瓷的制造工藝與其他新型陶瓷相似。它對原料的純度、細度、顆粒形狀及級配等有較高的要求。
鉻酸鑭陶瓷的配方可按La(MexCr1-x)O3進行配制，其中Me可為Mg、Al、Ca、Sr、Fe等。
LaCrO3的最大缺點是Cr2O3易揮發(fā)，在1000℃以上揮發(fā)更嚴重。因此，在配方中，往往添加＋2價堿土金屬離子（如Mg2+、Ca3+、Sr2+等），置換部分的La3+,得到具有半導體的La1-x(Ca,Sr)CrO3(x=0~0.12),與純的LaCrO3相比，其性能有較大的提高。
La2O3和Cr2O3的純度應為化學純，按摩爾比配合，先在900℃空氣中煅燒2h,排除吸附水，并使部分水化產(chǎn)物分解。Ca是以CaCO3形式加入，然后按摩爾比（x=0~0.12)進行配制。粉料最好在塑料球磨筒中用塑料球濕混48h,烘干后加入粘合劑，然后壓制成型。
鉻酸鑭陶瓷的燒結是在氧化氣氛中進行的，燒結溫度為2000℃左右。
1. 概述
2.鉻酸鑭導電陶瓷的制造工藝